宏芯宇发布自研UFS 2.2主控芯片HG2325,22nm制程
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📄 IT之家 6 月 8 日消息,存储半导体模组企业宏芯宇 (HOSINGLOBAL) 在 COMPUTEX 2026 上发布了其自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。 IT之家了解到,HG2325 采用 22nm 成熟制程工艺,内置大容量 SRAM 缓存搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎,适配主流 3D TLC / QLC NAND,闪存接口速率支持到 1600MT/s。 其兼容高通、联发科技、紫光展锐等厂商的主流 SoC 平台,支持 64GB~1TB 的一系列容量规格,其中 512GB 存储模组的顺序读取与写入速率分别可达 1060MB/s 和 975MB/s。 宏芯宇此次还在台北国际电脑展上展示了 PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM、车规级嵌入式闪存 & 固态硬盘等一系列产品。 特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台"网易号"用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。 Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
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